Vishay推出新款磁性编码位移传感器，精度可媲美霍尔效应器件

作者： 2017年08月14日来源：浏览量：

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日前，Vishay宣布推出新的磁性编码位移传感器RAME027，其精度可与霍尔效应器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。　　该磁性编码位移传感器RAME027，一次可编程(OTP)的VishaySferniceRAME027在25℃下的精度

　　日前，Vishay宣布推出新的磁性编码位移传感器RAME027，其精度可与霍尔效应器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。

　　该磁性编码位移传感器RAME027，一次可编程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度为±0.33%，高度只有27mm。典型应用包括国防和工业用的操纵杆、电动执行器、机械工具、纺织品制造、铣床和机器人。

　　可靠的性能和结构，使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功能强化、针对EMC和ESD的保护功能，对RAME027进行定制。Vishay还可以提供额外功能，和温度范围更宽的产品。

　　RAME027的工作电压为5V(±0.25V)，5V下的耗电小于20mA。器件的有用电角度为360°，带模拟输出，分辨率为12位，可在−25℃～+85℃温度范围内工作。

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