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中科院科研装备研制项目“晶片级器件辐照及辐射效应参数提取设备”通过验收

作者: 2017年06月07日 来源: 浏览量:
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5月26日,中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院新疆理化技术研究所承担的中科院科研装备研制项目“晶片级器件辐照及辐射效应参数提取设备”进行了验收。   验收专家组现场考核了仪器设备的技

  5月26日,中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院新疆理化技术研究所承担的中科院科研装备研制项目“晶片级器件辐照及辐射效应参数提取设备”进行了验收。

  验收专家组现场考核了仪器设备的技术指标,认真听取了项目工作报告,经质询和讨论,专家组一致认为该设备同时实现了晶片级器件辐照试验、器件特性参数在线提取功能,在国内率先突破了晶片级器件加电偏置辐照技术,为器件辐射效应精确建模、商用代工线的抗辐射性能评估提供了有效的测试手段;研制的设备可适用不同种类器件的辐照,具有结构一体化、操作自动化的特点,全部技术指标均达到或优于预期目标。之前国内由于不具备适用于器件辐射效应提参建模的试验平台,无法在器件设计、流片阶段给出加固建议,评估抗辐射性能,一定程度上增加了研发成本,延长了生产周期。该设备突破了这一技术瓶颈,填补了该领域的国内空白,为晶片级器件辐照、提参提供试验条件,形成面向抗辐射器件研制全过程的辐射效应试验评估、提参建模共性技术服务平台,为元器件设计加固工艺的发展提供试验技术支撑。

  该设备已成功应用于中科院微电子研究所、中电集团44所、杭州电子科技大学、长光辰芯光电公司等单位的微纳MOS器件、CCD器件、CMOS图像传感器、半导体射频电路的辐射效应评估验证,获得了用户的高度认可,为国产抗辐射器件的研制与试验评估提供了有效的试验手段。

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